Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC3856

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2SC3856. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C3856. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1492. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1294. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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