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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V - 2SA1306

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V - 2SA1306. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3298. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 27pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 27pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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