Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N5551

2N5551
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Conjunto de 10

2N5551. RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.

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Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: G1. Equivalentes: MMBT5551LT1G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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