2SK2615

2SK2615. C (pol.): 150pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor de efeito de campo. Proteção GS: Supressor . Id(im): 6A. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: ZA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.