2SB649A

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1 - 4	1.44€	1.77€
5 - 9	1.37€	1.69€
10 - 24	1.29€	1.59€
25 - 49	1.22€	1.50€
50 - 99	1.19€	1.46€
100 - 146	1.02€	1.25€

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2SB649A. Custo): 27pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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