Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SA1294

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2SA1294. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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2SA1294-SKN
Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tf(máx.): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1294-SKN
Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tf(máx.): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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