Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC1845

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2SC1845. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 580. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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KSC1845-F

KSC1845-F

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Ampl...
KSC1845-F
Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA992. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSC1845-F
Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA992. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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