Transistores

Função: 9.31k Ohms. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 20V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

C (pol.): 985pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 14 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Interruptor do lado alto . Id(im): 50A. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 196k Ohms. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 29.8W. On-resistência Rds On: 0.0075 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: módulo. Configuração: Parafusado. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SK85MH10. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 570 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 9100pF. Família de componentes: ponte MOSFET completa, NMOS. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

C (pol.): 5000pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta potência. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Número de terminais: 7. RoHS: sim. Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 23.1pF. Custo): 1.9pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta potência. Corrente do coletor: 470A. Ic(pulso): 600A. Ic(T=100°C): 330A. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 330 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1100pF. Custo): 107pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: S-IGBT rápido em tecnologia NPT. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 179W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 445 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: K20N60. Diodo CE: sim

C (pol.): 1150pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Função: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corrente do coletor: 46A. Ic(pulso): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: K25N120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 313W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 730 ns. Td(ligado): 45 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V

C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

C (pol.): 8180pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Maior robustez MOSFET dv/dt . Id(im): 267A. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 77.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 5uA. Marcação na caixa: 6R041P6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 481W. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 29 ns. Tecnologia: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Marcação na caixa: TB. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.017...0.025 Ohms

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SP8M4FU6TB. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 790pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 21.9A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220 (PG-TO220FP). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 07N60C3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 790pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 32W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: caixa isolada (2500 VCA, 1 min). Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N65C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 16N50C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 560V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade excepcional de dv/dt. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 32A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Marcação na caixa: 56N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 4480pF. Custo): 1580pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Modo de aprimoramento’. Id(im): 320A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N04H4. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS