Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPA07N60C3

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SPA07N60C3. C (pol.): 790pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 21.9A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.

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