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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V - SMBTA42

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V - SMBTA42
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V - SMBTA42. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V
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