Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BAS16

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BAS16. Cj: 1.5pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodo de comutação de alta velocidade . Corrente direta (AV): 215mA. IFSM: 1A. RM (máx.): 0.5uA. RM (min): 30nA. Marcação na caixa: A6W. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 715mV. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 6 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação . Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Nota: serigrafia/código SMD A6s, A6t . RM (máx.): 50uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: A6s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 715mV. VRRM: 75V
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Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 6 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação . Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Nota: serigrafia/código SMD A6s, A6t . RM (máx.): 50uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: A6s. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 715mV. VRRM: 75V
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