Diodos padrão e retificadores

Corrente direta (AV): 0.8A. VRRM: 400V. Material semicondutor: silício

Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 100uA. RM (min): 10uA. Marcação na caixa: 28.7k Ohms. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Corrente direta (AV): 12A. IFSM: 330A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Quantidade por caixa: 2. Estrutura dielétrica: cátodo comum . Material semicondutor: Sb. Função: Diodo retificador Schottky. Equivalentes: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.95V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1600A. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.13V. Tensão direta Vf (min): 0.99V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido

Corrente direta (AV): 150A. IFSM: 1500A. Habitação (conforme ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Usado para: também pode ser usado para sistemas de painéis solares. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Função: Diodo de recuperação suave ultrarrápido

Corrente direta (AV): 19A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 15V. Material semicondutor: Sb. Diodo Schottky?: escocês. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Nota: 700App/5us, 330App/10ms. Nota: Vfm 0.36V/19A

VRRM: 100V. Carcaça: DO41. Corrente Média Retificada por Diodo: 1A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA..50uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tensão direta Vf (min): 1.1V. Tipo de diodo: diodo retificador. Configuração de diodo: independente. Tensão direta (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montagem: THT. Corrente de fuga reversa: <50uA / 100V. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Série de produtos: 1N40

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): DO-41. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

VRRM: 1000V. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms

Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Carcaça: SOD-323. Corrente direta (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 100V. RoHS: sim. Cj: 2pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 1uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Dimensões: 1,7x1,25x1mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Corrente direta (AV): 500mA. IFSM: 1A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V

Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-35. Corrente direta [A]: 0.5A. RoHS: sim. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Ism [A]: 4A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..50uA. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Tensão direta Vfmax (V): 1V @ 10mA

Corrente direta (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Material semicondutor: silício. Função: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C

Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 75V. Diodo Trr (mín.): 2 ns. Material semicondutor: silício. Função: diodo de comutação ultrarrápido, Ifsm 1us 2A. RM (máx.): 50nA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+200°C. Tensão direta Vf (min): 1V

Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Carcaça: DO-41. Habitação (conforme ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Spec info: 30App/8.3ms

Carcaça: DO-41. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 15pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Material semicondutor: silício. Função: Troca rápida para alta eficiência. RM (máx.): 100uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. Tensão direta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente direta (AV): 2A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. Função: Silicon Rectifier. RM (máx.): uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V

Corrente direta (AV): 3.3mA. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: diodo . Nota: diodo túnel. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta. Spec info: IFSM--50Ap

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Corrente direta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Carcaça: DO-15. Habitação (conforme ficha técnica): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 50uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Número de terminais: 2. Nota: GI. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms