10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V

10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V

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10A10, R-6, 10A, 400A, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. Carcaça: R-6. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 400A. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Corrente de pulso máx.: 400A. Diodo Trr (mín.): 1500 ns. Dirigindo corrente: 10A. Embalagem: Ammo Pack. Equivalentes: P1000M, 10A07-TP. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Marcação do fabricante: 28.7k Ohms. Marcação na caixa: 28.7k Ohms. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 10uA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de condução (tensão limite): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão reversa máxima: 1kV. Tipo de diodo: diodo retificador. Produto original do fabricante: Lge Technology. Quantidade em estoque atualizada em 14/12/2025, 01:04

10A10
30 parâmetros
Carcaça
R-6
Corrente direta (AV)
10A
IFSM
400A
Habitação (conforme ficha técnica)
R-6 ( 8.9x8.8mm )
VRRM
1000V
Cj
120pF
Corrente de pulso máx.
400A
Diodo Trr (mín.)
1500 ns
Dirigindo corrente
10A
Embalagem
Ammo Pack
Equivalentes
P1000M, 10A07-TP
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Estrutura semicondutora
diodo
Marcação do fabricante
28.7k Ohms
Marcação na caixa
28.7k Ohms
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RM (min)
10uA
RM (máx.)
100uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--400Ap t=8.3ms
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de condução (tensão limite)
1.1V
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1V
Tensão reversa máxima
1kV
Tipo de diodo
diodo retificador
Produto original do fabricante
Lge Technology

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