1N4148, DO-35 ( SOD27 ), 75V, 0.2A, 200mA, 0.3A, 500mA, DO-35. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. VRRM: 75V. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.2A. Corrente direta (AV): 200mA. Corrente direta [A]: 0.3A. IFSM: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Capacitância: 4pF. Cj: 4pF. Configuração de diodo: independente. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Corrente de fuga reversa: 5uA / 75V. Corrente de pulso máx.: 1A. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Dirigindo corrente: 200mA. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Função: Diodos de alta velocidade. Informação: -. Ism [A]: 2A. MSL: -. Marcação do fabricante: 1N4148. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Outro nome: IN4148. Potência: 0.5W. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 25nA. RM (máx.): 50uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Série: 1N4148. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tempo de reação: 4ns. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Tensão de condução (tensão limite): 1V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.01A. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão limite: 1V. Tensão reversa máxima: 75V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de montagem: THT. Tipo de semicondutor: diodo. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Produto original do fabricante: Div. Quantidade mínima: 25. Quantidade em estoque atualizada em 23/11/2025, 12:29