Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MMBTA42

MMBTA42
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1 - 4 0.52€ 0.64€
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150 - 1362 0.36€ 0.44€
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MMBTA42. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 18:25.

Documentação técnica

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Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho m...
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Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
SMBTA42
C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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