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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: 1D. Marcação na caixa: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante Yangjie Electronic Technology. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 15:25.

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MPSA42
Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V
MPSA42
Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V
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Transistor NPN, SOT23, 4.87k Ohms. Carcaça: SOT23. Tensão coletor-emissor VCEO: 4.87k Ohms. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: NPN. Potência: 0.36W. VCBO de tensão-base do coletor: 4.87k Ohms. Tipo de montagem: SMD. Largura de banda MHz: 50MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Corrente máxima 1: 0.5A. Série: SMBTA
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