Quantidade (Conjunto de 10) | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 0.83€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.79€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.75€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.66€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.76€ |
50 - 222 | 0.58€ | 0.71€ |
Quantidade (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.83€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.79€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.75€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.66€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.62€ | 0.76€ |
50 - 222 | 0.58€ | 0.71€ |
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC860C. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. C (pol.): 10pF. Custo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Nota: transistor complementar (par) BC850C. Marcação na caixa: 4g. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.25W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.075V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD 4G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.
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