Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MURS120T3G

MURS120T3G
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MURS120T3G. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1D. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultraf...
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Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1J
MURS160T3G
Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Número de terminais: 2. Nota: serigrafia/código CMS U1J
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