Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MURS120T3G

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MURS120T3G. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 40A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sim. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U1D. RM (máx.): 50uA. RM (min): 2uA. Marcação na caixa: U1D. Número de terminais: 2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 0.875V. Tensão direta Vf (min): 0.71V. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 35A. Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/código CMS U1J. RM (máx.): 150uA. RM (min): 5uA. Marcação na caixa: U1J. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 1.05V
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