Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPB32N03L

SPB32N03L
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SPB32N03L. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 32A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1
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Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v
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Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v
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