AOD403

AOD403. C (pol.): 4360pF. Custo): 1050pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 39.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 200A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 0.01uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.