AP9971GH

AP9971GH. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 90A. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9971GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.