Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - CEB6030L

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - CEB6030L
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Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - CEB6030L. Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Produto original do fabricante Chino-excel Technology Corp.. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C):...
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Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET
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SPB56N03L

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Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (...
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Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Marcação na caixa: 56N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor
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Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Marcação na caixa: 56N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor
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