Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.91€ | 2.35€ |
5 - 9 | 1.82€ | 2.24€ |
10 - 24 | 1.76€ | 2.16€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 121 | 1.53€ | 1.88€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.91€ | 2.35€ |
5 - 9 | 1.82€ | 2.24€ |
10 - 24 | 1.76€ | 2.16€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.12€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.07€ |
100 - 121 | 1.53€ | 1.88€ |
Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF840. Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.
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