Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

IRF710

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IRF710. C (pol.): 170pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 6A. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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