TK20J50D

TK20J50D. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.