Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N2222A

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2N2222A. RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Carcaça (padrão JEDEC): TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tf(máx.): 60 ns. Tf(min): 60 ns. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+200°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 10:25.

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Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 600mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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