Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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PN2222A

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PN2222A. Custo): 75pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: Amplificador de uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.

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C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.8A. Nota: transistor complementar (par) 2N2907A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Corrente do coletor: 0.8A. Nota: transistor complementar (par) 2N2907A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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