AP9575AGH

AP9575AGH. C (pol.): 1440pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 43 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.