Transistores

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 235pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L6. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: N7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.66W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: N9. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 210pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M5. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -0.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 715pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 27 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 595pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.0V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 71 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1020pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1225pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: O4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1275pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 1.95A. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. IDss (min): 1nA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1nA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) mín.: 0.45V. Número de terminais: 6. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 35ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 45ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4410BDY. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. Marcação na caixa: 4420AP. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 41ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11.4A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4431BDY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4431CDY-T1-GE3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1006pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.6A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 8.8A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 12350pF. Custo): 2775pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 84 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Id(im): 70A. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.8W. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 240 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 12V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 20uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 80V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS