SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: N9. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 210pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.