SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1225pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.