SI3441BD

SI3441BD. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 1.95A. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. IDss (min): 1nA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1nA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) mín.: 0.45V. Número de terminais: 6. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 18:25.