SI4435BDY

SI4435BDY. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.6A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 18:25.