Transistores

C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Amplificador de uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92AMMO. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2907A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

C (pol.): 3195pF. Custo): 221pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação padrão. Id(im): 272A. DI (T=100°C): 47A. DI (T=25°C): 68A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.06uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 13.9m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 20.7 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK (SOT404). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4900pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4720pF. Custo): 456pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 118 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 200A. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 79 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. On-resistência Rds On: 30 milliOhms. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-363. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: B*1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor PNP duplo

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-363. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: D*2. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP

C (pol.): 30pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 21.9A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N65C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2930pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 380A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 2N03L04. Pd (dissipação de energia, máx.): 188W. On-resistência Rds On: 5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFD14N05L. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 670pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F14N05. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 670pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 850pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: diodo . DI (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 12A. Marcação na caixa: F3055L. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1. Função: controle de nível lógico, proteção ESD

Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D8P05. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 20A. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 900pF. Custo): 325pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F12N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: MegaFET. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 53W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP3055LE. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP50N06. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 37 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2020pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 131W. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 50

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP70N06. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modelo PSPICE® com compensação de temperatura

Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 330V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: trr 0.1us. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 330V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sim

C (pol.): 1200pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Compatibilidade: Samsung PS42C450B1WXXU. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.06 ns. Td(ligado): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor MOSFET canal N. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Quantidade por caixa: 1. Função: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns

C (pol.): 85pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 250A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 360V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1250pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 630V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS