Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Q67042-S4113

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Q67042-S4113. C (pol.): 2930pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 380A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 2N03L04. Pd (dissipação de energia, máx.): 188W. On-resistência Rds On: 5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.

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C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns...
IRLB8743PBF
C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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IRLB8748PBF
C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 3850pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: controle de motor, amplificador de áudio. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS
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