Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70
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Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70. Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 68V. C (pol.): 2550pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 392A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 80NF70. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 21:25.

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Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 12m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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