IRF8010S

IRF8010S. C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 99 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.