FDD5614P

FDD5614P. RoHS: sim. C (pol.): 759pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD5614P. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.076 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.