IRF3808

IRF3808. C (pol.): 5310pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 550A. DI (T=100°C): 97A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRF3808. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.