FQP13N10

FQP13N10. C (pol.): 345pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 51.2A. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Peso: 2.07g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Função: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.