Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

RJP30E4

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Conjunto de 1

RJP30E4. C (pol.): 85pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 250A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 360V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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