Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RFD8P05SM

RFD8P05SM
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RFD8P05SM. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D8P05. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 20A. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.

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SPD08P06P

SPD08P06P

C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo...
SPD08P06P
C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Proteção GS: NINCS
SPD08P06P
C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Proteção GS: NINCS
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