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Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM

Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM
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5 - 9 1.94€ 2.39€
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25 - 49 1.73€ 2.13€
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Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM. Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D8P05. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 20A. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 21:25.

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SPD08P06P

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Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI ...
SPD08P06P
Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Proteção GS: NINCS
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Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Proteção GS: NINCS
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