Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.60€ |
5 - 9 | 1.23€ | 1.51€ |
10 - 24 | 1.19€ | 1.46€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.44€ |
50 - 92 | 1.14€ | 1.40€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.60€ |
5 - 9 | 1.23€ | 1.51€ |
10 - 24 | 1.19€ | 1.46€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.44€ |
50 - 92 | 1.14€ | 1.40€ |
Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - SPD08P06P. Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 35.2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.
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