RFP70N06

RFP70N06. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP70N06. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: Modelo PSPICE® com compensação de temperatura. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 11:25.