Transistores

C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) NJW3281. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NJW21193G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência PNP

C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Data de produção: 201452 201512. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) NJW1302. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 6400pF. Custo): 465pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 328A. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 82N055. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 142W. On-resistência Rds On: 4.1m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): MP-25ZP. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 900. Spec info: transistor MOSFET . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 707pF. Custo): 224pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 20N6LG. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N06LG. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 990pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20P06LG. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NT2955G. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 750pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 55W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Função: ID pulse 36A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 45A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.084 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Função: ID pulse 45A/10us. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 55094G

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. On-resistência Rds On: 0.122 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Função: ID pulse 27A/10us. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 3150G

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 45A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.089 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. Nota: 55L104G. Função: nível lógico, pulso ID 45A/10us. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 316pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 45A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.089 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: nível lógico, pulso ID 45A/10us. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 55L104G. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 55L104G. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 4490pF. Custo): 952pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 230A. DI (T=100°C): 96A. DI (T=25°C): 124A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4804NG. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 510pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 446. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminais: 6. Função: Aplicações de bateria de íon de lítio, notebook . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 4416pF. Custo): 296pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 472A. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 118A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 503W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 19V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Função: UPS, Conversor DC/DC, Inversor Boost. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 108A. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. Marcação na caixa: 4744N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: ID pulse 108A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4744N

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 288A. DI (T=100°C): 138A. DI (T=25°C): 191A. Idss (máx.): 191A. Marcação na caixa: 4833N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 114W. On-resistência Rds On: 1.3M Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: ID pulse 288A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4833N

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 208A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. Marcação na caixa: 4835N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 63W. On-resistência Rds On: 2.9m Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: ID pulse 208A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 4835N

Custo): 135pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Feito para Grundig. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS