Transistores

C (pol.): 702pF. Custo): 357pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 256ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: 50R380. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 59.6ns. Td(ligado): 15.2ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: Baixa perda de energia por comutação de alta velocidade e baixa resistência. Função: Estágios de fonte de alimentação PFC, aplicações de comutação, controle de motor, conversor DC-DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 890pF. Custo): 670pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 375 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Estágios de fonte de alimentação PFC, aplicações de comutação, controle de motor, conversores CC/CC. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: 60R360P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: N-channel POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: JD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Custo): 9pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 1.5A. Marcação na caixa: Y1. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6E. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8E. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8K. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.246W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transistores complementares. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tipo de transistor: PNP & NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA42. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA92. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Resistor BE: 10. Custo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 500mA. Ic(pulso): 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA06. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 10000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 10000. Corrente do coletor: 500mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Frequência máxima: 100 MHz. Carcaça: TO-92

Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 7pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.3A. Equivalentes: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 400mV. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 750mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-TR. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92AMMO. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA06. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA56. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2000. Spec info: transistor complementar (par) MPSA42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSH10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5mA. Frequência de corte ft [MHz]: 650 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN