Transistores

Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Função: hFE 25...40. Quantidade por caixa: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 6pF. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 150000. Ganho mínimo de hFE: 25000. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 12V. Função: High hFE. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 60pF. Custo): 6pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: Transistor PNP . Resistor BE: -30V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 28V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTP2P50EG. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1183pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 410pF. Custo): 114pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 55.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Transistor fechado de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M50P03HDLG. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 117 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AE. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTW45N10E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTY100N10E. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 96 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 372 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: transistor com rede de resistores de polarização. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 338mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores Digitais (BRT). Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 8B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1373pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 395 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDP6020P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -0.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1590pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 100A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 2960pF. Custo): 1130pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 225A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 75A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 79pF. Custo): 10pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. DI (T=25°C): 0.12A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 610. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 610. Função: Interruptor de sinal pequeno de canal P controlado por tensão, design de célula de alta densidade para baixo RDS (ON). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 195pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 8 ns. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDS352APRL. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 135pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDS355AN_NL. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 195pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Função: Canal P e P duplo de 60 V. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 2.3A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 2. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xV-MOS. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDT452AP. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDT456P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 4.5pF. Custo): 10pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) NJW0281. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS