MUN2212

MUN2212. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: transistor com rede de resistores de polarização. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 338mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores Digitais (BRT). Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 8B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 06:25.