NDS332P

NDS332P. C (pol.): 195pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 8 ns. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 06:25.