Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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NDF10N60ZG

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NDF10N60ZG. C (pol.): 1373pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 395 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 06:25.

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STP10NK60ZFP
C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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