MTP3055VL

MTP3055VL. C (pol.): 410pF. Custo): 114pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 55.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Transistor fechado de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.